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Hot Disk法的優(yōu)點(diǎn)有：(1)直接測(cè)量熱傳播，可以節(jié)約大量的時(shí)間；(2)不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響；(3)無須特別的樣品制備，對(duì)固態(tài)材料只需相對(duì)平整的樣品表面。具有測(cè)量速度快、適用范圍寬以及能夠成功避免在實(shí)驗(yàn)過程中自然對(duì)流的影響等優(yōu)點(diǎn)，是目前比較流行的測(cè)試方法。設(shè)備參考標(biāo)準(zhǔn)：ISO 22007-2 2008。主要測(cè)量固體、巖土、粉末、液體、糊狀、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)、導(dǎo)溫系數(shù)（熱擴(kuò)散系數(shù)）和比熱容、蓄熱系數(shù)及熱阻。 1、整機(jī)技術(shù)指標(biāo)1.1 試樣尺寸：塊狀或圓柱形樣本，無須特別的樣品制備，只需相對(duì)平整的樣品表面,對(duì)粉狀、糊狀、液狀物質(zhì)無特殊要求。1.2 導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定范圍：0.005～100 w/(m.k)；1.3 熱擴(kuò)散系數(shù)（導(dǎo)溫系數(shù)）范圍：0.1～100 m2/s1.4 蓄熱系數(shù)范圍：0.1～30 w/(m2.k)1.5 比熱容范圍： 0.1～5 kJ/(kg?℃)1.6 熱阻范圍： 0.5～0.000005 m2.k/w1.7 測(cè)量溫度范圍：室溫～120℃；1.8 溫度測(cè)量精度：≤0.001℃；1.9 測(cè)量相對(duì)誤差：≤3%；1.10 重復(fù)性誤差：≤ 3%；1.11測(cè)量時(shí)間：1～120 秒1.12試樣環(huán)境溫度范圍：標(biāo)準(zhǔn)配置：室溫。（可根據(jù)客戶要求選配各種溫度段或真空狀態(tài)下的測(cè)試狀態(tài)）1.13 采用全自動(dòng)測(cè)試軟件，快速準(zhǔn)確對(duì)樣品進(jìn)行試驗(yàn)過程參數(shù)分析和報(bào)告輸出。1.14電源：AC 220V±10%；50/60 Hz,整機(jī)功率：﹤500w 2. 探頭技術(shù)指標(biāo)2.1 加熱材料：金屬鎳2.2 使用溫度：-50～150℃2.3 zui大功率：20w2.4 zui大電壓：20V2.5 zui大電流：1A2.6 電阻：10Ω左右，依探頭上標(biāo)注阻值為準(zhǔn)2.7 鎳絲規(guī)格：厚度0.01mm,熱絲寬度：0.35±0.03mm；熱絲間距：0.35±0.03mm 2.8 保護(hù)層材料：聚酰亞胺薄膜（Kapton）；單層厚度：0.06mm2.9 探頭直徑：15mm2.10 探頭總厚度（包括粘結(jié)層厚度）0.07±0.02mm。